LPCVD 低压化学气相沉积设备

LPCVD低压化学气相沉积设备（科研型LPCVD）是在低压高温的条件下，顺利获得化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科研研究、实践教学、小型器件制造。

所属分类：

CVD 化学气相沉积设备

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产品描述

LPCVD低压化学气相沉积设备（科研型LPCVD）是在低压高温的条件下，顺利获得化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si₃N₄、SiO₂及Poly硅薄膜）。可用于科研研究、实践教学、小型器件制造。

设备结构及特点
1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本
两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。
基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。
基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。
2、设备为水平管卧式结构
由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。

3、系统给予自动控制无扬尘装置

LPCVD设备主要技术指标

类型	参数
成膜类型	Si₃N₄、Poly-Si、SiO₂等
最高温度	1200℃
恒温区长度	根据用户需要配置
恒温区控温精度	≤±0.5℃
工作压强范围	13～1330Pa
膜层不均匀性	≤±5％
基片每次装载数量	标准基片：1～3片；不规则尺寸散片:若干
压力控制	闭环充气式控制
装片方式	手动进出样品

LPCVD 低压化学气相沉积设备（生产型 LPCVD）
设备功能
该设备是在低压高温的条件下，顺利获得化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si₃N₄、SiO₂及Poly硅薄膜）。
可给予相关镀膜工艺。

设备结构及特点：
设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。
设备主要技术指标

类型	参数
成膜类型	Si₃N₄、Poly-Si、SiO₂等
最高温度	1200℃
恒温区长度	根据用户需要配置
恒温区控温精度	≤±0.5℃
工作压强范围	13～1330Pa
膜层不均匀性	≤±5％
基片每次装载数量	100片
设备总功率	16kW
冷却水用量	2m³/h
压力控制	闭环充气式控制
装片方式	悬臂舟自动送样