科研型高真空磁控溅射镀膜机

科研型高真空磁控溅射镀膜机 Circular Sputter系列是我司科研类及中试类高真空磁控溅射仪，其主要是用圆形磁控溅射靶进行溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。

所属分类：

PVD 物理气相沉积设备

服务支持：

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产品描述

科研型高真空磁控溅射镀膜机Circular Sputter系列是我司科研类及中试类高真空磁控溅射镀膜机，主要用2～12英寸圆形平面磁控溅射靶和小型矩形靶进行溅射镀膜。可制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。
可用于TGV/TSV/TMV 先进封装的研发，高深径比（≥10:1）的深孔金属种子层镀膜。
设备关键技术特点
秉承设备为工艺实现给予实现手段的理念，腾博会官网做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现给予了精准的工艺设备方案。
靶材背面和溅射靶表面的结合处理
-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。
-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。
-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。
距离可调整
基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
角度可调
磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准调控。
集成一体化柜式结构
一体化柜式结构优点：
安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）
占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。
控制系统
采用计算机＋PLC 两级控制系统。
安全性
- 电力系统的检测与保护
- 设置真空检测与报警保护功能
- 温度检测与报警保护
- 冷却循环水系统的压力检测和流量
- 检测与报警保护
匀气技术
工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。
基片加热技术
采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。
真空度更高、抽速更快
真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。
设备结构及性能：
1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱
2、磁控溅射靶数量及类型：1～6个靶，圆形平面靶
3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容
5、基片可旋转、可加热、可升降、可加偏压
6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜
7、操作方式：手动、半自动、全自动
8、如果需要更高本底真空需要配置LOADLOCK，超高真空磁控溅射靶并且样品传递采用折叠式，超高真空机械手或真空机械手，系统极限真空可达10^-8Pa
设备主要技术指标
- 基片托架：根据供件大小配置。
- 基片加热器温度：根据用户供应要求配置。温度可用电脑编程控制，可控可调。
- 基片自转速度：2~20转/分钟。
- 基片架可加热、可旋转、可升降。
- 靶面到基片距离40mm~140mm 可调。
- Φ2～Φ12英寸平面圆形靶1～6支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。
- 镀膜室的极限真空：6X10^-5Pa~7X10^-8Pa，恢复工作背景真空7×10^-4Pa：30分钟左右（新设备充干燥氮气）
- 设备总体漏放率：关机12小时真空度≤5Pa
设备工作条件

类型	参数	备注
供电	～380V	三相五线制
功率	根据设备规模配置
冷却水循环	根据设备规模配置
水压	1.0～1.5×10⁵Pa
制冷量	根据散热量配置
水温	18～25℃
气动部件供气压力	0.5MPa～0.7MPa
质量流量控制器供气压力	0.05MPa～0.2MPa
工作环境温度	10℃～40℃
工作环境湿度	≤50%