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    科研型 高真空磁控溅射镀膜机

    科研型 高真空磁控溅射镀膜机 Circular Sputter系列是我司科研类及中试类高真空磁控溅射仪,其主要是用圆形磁控溅射靶进行溅射的方法,制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等;适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜;可镀制磁性材料和非磁性材料。

    服务支持:

    • 产品描述
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      科研型 高真空磁控溅射镀膜机Circular Sputter系列是我司科研类及中试类高真空磁控溅射镀膜机,主要用2~12英寸圆形平面磁控溅射靶和小型矩形靶进行溅射镀膜。可制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等;适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜;可镀制磁性材料和非磁性材料。
      可用于TGV/TSV/TMV 先进封装的研发,高深径比(≥10:1)的深孔金属种子层镀膜。

      设备关键技术特点
      秉承设备为工艺实现给予实现手段的理念,腾博会官网做了如下设计和工程实现,实际运行效果良好,为用户的专用工艺实现给予了精准的工艺设备方案。
      靶材背面和溅射靶表面的结合处理
      -靶材和靶面直接做到面接触是很难的,如果做不到面接触,接触电阻将增大,导致离化电场的幅值不够(接触电阻增大,接触面的电场分压增大),导致镀膜效果不好;电阻增大导致靶材发热升温,降低镀膜质量。
      -靶材和靶面接触不良,导致水冷效果不好,降低镀膜质量。
      -增加一层特殊导电导热的软薄的物质,保证面接触。
      距离可调整
      基片和靶材之间的距离可调整,以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
      角度可调
      磁控溅射靶头可调角度,以便针对不同尺寸基片的均匀性,做精准调控。

      集成一体化柜式结构
      一体化柜式结构优点:
      安全性好(操作者不会触碰到高压部件和旋转部件)
      占地面积小,尺寸约为:长1100mm×宽780mm(标准办公室门是800mm宽)(传统设备大约为2200mm×1000mm),相同面积的工作场地,可以放两台设备。
      控制系统
      采用计算机+PLC 两级控制系统。
      安全性
      - 电力系统的检测与保护
      - 设置真空检测与报警保护功能
      - 温度检测与报警保护
      - 冷却循环水系统的压力检测和流量
      - 检测与报警保护
      匀气技术
      工艺气体采用匀气技术,气场更均匀,镀膜更均匀。
      基片加热技术
      采用铠装加热丝,由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内,所以高温加热过程中不释放杂质物质,保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里,保证温常的均匀,然后再对基片加热。
      真空度更高、抽速更快
      真空室内外,全部电化学抛光,完全去除表面微观毛刺丛林(在显微镜下可见),没有微观藏污纳垢的地方,腔体内表面积减少一倍以上,镀膜更纯净,真空度更高,抽速更快。
      设备结构及性能:
      1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室+进样室、镀膜室+手套箱
      2、磁控溅射靶数量及类型:1~6个靶,圆形平面靶
      3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
      4、磁控溅射靶:射频、中频、直流脉冲、直流兼容
      5、基片可旋转、可加热、可升降、可加偏压
      6、通入反应气体,可进行反应溅射镀膜
      7、操作方式:手动、半自动、全自动
      8、如果需要更高本底真空需要配置LOADLOCK,超高真空磁控溅射靶并且 样品传递采用折叠式,超高真空机械手或真空机械手,系统极限真空可达10-8Pa
      设备主要技术指标
      - 基片托架:根据供件大小配置。
      - 基片加热器温度:根据用户供应要求配置。温度可用电脑编程控制,可控可调。
      - 基片自转速度:2~20转/分钟。
      - 基片架可加热、可旋转、可升降。
      - 靶面到基片距离40mm~140mm 可调。
      - Φ2~Φ12英寸平面圆形靶1~6支,配气动靶控板,靶可摆头调角度。
      - 镀膜室的极限真空:6X10-5Pa~7X10-8Pa,恢复工作背景真空7×10-4Pa:30分钟左右(新设备充干燥氮气)
      - 设备总体漏放率:关机12小时真空度≤5Pa
      设备工作条件
       

      类型

      参数

      备注

      供电

      ~380V

      三相五线制

      功率

      根据设备规模配置

       

      冷却水循环

      根据设备规模配置

       

      水压

      1.0~1.5×105Pa

       

      制冷量

      根据散热量配置

       

      水温

      18~25℃

       

      气动部件供气压力

      0.5MPa~0.7MPa

       

      质量流量控制器供气压力

      0.05MPa~0.2MPa

       

      工作环境温度

      10℃~40℃

       

      工作环境湿度

      ≤50%

       

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