- 产品描述
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项目
配置和指标 1
工艺腔体和LOAD LOCK 工艺腔体及LOAD LOCK材质为304不锈钢,内外电解抛光,前开门,溅射腔体预留多个法兰口。 2
系统控制 系统控制柜顺利获得电源分配箱给各部件供电,加热器配保护装置,安全互锁。计算机主机为工控触摸屏,三级权限,设备各模块运行数据、工艺数据均可视化。 3
真空系统 真空配置涡旋干泵、分子泵,抽速35m3/h、60 m3/h,工艺极限真空度≤ 3E-8 Torr, LOAD LOCK极限真空度≤ E-7Torr。皮拉尼+宽量程真空计组合测试真空度,量程从大气到5E-10Torr。 4
磁控溅射沉积源 可选配直流、直流/脉冲、射频电源及切换开关。分基片台A、B,均为可加偏压悬浮基片台,A向上溅射、B向下溅射,0-20rpm陆续在自传。 5
工艺控制 工艺腔室膜厚控制精度0.01A/s,膜厚均匀性:≤±5%,加热温度RT-600℃,PID控温精度+/-1度。工艺工装为8寸平台,适应单wafer,兼容chips,Mask对位。 6
离子源、电子刷、光源和探针 离子源用于基片清洗或辅助沉积,配4CM离子源和一路气体。自制电子电刷束斑区域直径40mm,顺利获得电子扫描进行区域清刷。自制光源用于薄膜表面照射,辅助检测薄膜透光性。探针在线检测薄膜因光源产生电子数及电流方向。 7
设备支架和工装 采用铝型材结构支架,配地轮、地脚。
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