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Semi-ICP-200 等离子刻蚀设备

ICP 源装置结构简单，易于调节，可顺利获得在基片台上施加偏压，实现对电子密度和离子能量的控制，即：射频线圈产生等离子体，基片偏压控制轰击基片离子的能流和束流以及入射的方位角等。ICP 为无电极放电，没有电极污染。

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  • 产品描述

  • ICP 源装置结构简单，易于调节，可顺利获得在基片台上施加偏压，实现对电子密度和离子能量的控制，即：射频线圈产生等离子体，基片偏压控制轰击基片离子的能流和束流以及入射的方位角等。ICP 为无电极放电，没有电极污染。
    广泛应用于半导体制造、微机电系统、光电子器件、平板显示、纳米技术研究、通信领域等。 

    技术服务
    1）维修、维护、翻新、改造升级进口及国产等离子刻蚀机；
    2）承接非标定制的等离子刻蚀机的设计和制造； 
    3）承接委托研发的刻蚀工艺。 

    设备组成 
    Semi-ICP-200刻蚀设备由真空腔、射频天线、ICP源、偏压源、真空机组、气路单元、样品架及温度控制、冷水机组、控制系统、配套附件等组成。 

    主要配置 
    真空室尺寸：φ300mmX250mm；
    极限真空度优于：5X10-5Pa；
    工作背景真空：8X10-4Pa（40min左右）；
    有效刻蚀直径：φ200mm（8寸）；
    主射频电源：频率13.56MHz，功率3000w；
    偏压电源：频率13.56MHz，功率500w；
    工作气体：根据工艺要求配置。

     

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