LPCVD设备 HITSemi-LPCVD-200

LPCVD设备配置一套独立工艺炉管，工艺气体分别配置SiH4/NH3/N2O/N2/Ar，顺利获得真空泵取得低压来实现氮化硅、氧化硅、多晶硅膜层的沉积。设备主要应用于科研院校、高校、工矿企业等实验和小批量生产。

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LPCVD设备配置一套独立工艺炉管，工艺气体分别配置SiH₄/NH₃/N₂O/N₂/Ar，顺利获得真空泵取得低压来实现氮化硅、氧化硅、多晶硅膜层的沉积。
设备主要应用于科研院校、高校、工矿企业等实验和小批量生产。

主要特点
炉膛具有良好的温度均匀性、保证工艺温区。
控温精度高、保温效果好、温度范围大。
工艺气路采用VCR连接，密封性好。
具有正负压显示，炉膛超压保护、超温保护，水流水压水温保护，断偶保护。

技术参数

产品型号	HITSemi-LPCVD-200
最高温度	1150°C
工作温度	≤1100°C
管数	1~2管（可定制）
炉管	进口石英；φ100mm~φ200mm，长度：1200mm（可定制）
恒温区长度	400mm
控温段数	3段；可以三段单独控制
升温速率	1°C/min~10°C/min可调
恒温区控温精度	±1°C
测温精度	±1%FS
温控保护	具有过温保护，断偶保护，漏电保护（加漏电保护器）等功能
工件压强范围	13Pa~1330Pa
膜层不均匀性	优于≤±5%
控温模式	控温模式：采用30段程序控温智能PID调节，微电脑控制，可编程式控温曲线，无需看守（全自动升、降、保温）
工艺气体	SiH₄ 、NH₃ 、N₂O、N₂
控制形式	半自动/全自动
控制系统	PLC+触摸屏
恒温制冷水箱	可选配
空气压缩机	可选配
注：不含尾气处理系统

设备工作条件

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