高真空电阻热蒸发镀膜一体设备 HITSemi-PVD-420TE
高真空电阻热蒸发镀膜一体设备采用电阻热蒸发技术,它是在高真空条件下,顺利获得加热材料的方法,在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。 可用于材料的物理和化学研究。可用于制备金属导电电极;可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。
- 产品描述
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高真空电阻热蒸发镀膜一体设备采用电阻热蒸发技术,它是在高真空条件下,顺利获得加热材料的方法,在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。
可用于材料的物理和化学研究。可用于制备金属导电电极;可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。
主要特点
真空度高、抽速快、基片装卸方便。
PID自动控温,成膜均匀、放气量小和温度均匀。技术参数
产品型号 HITSemi-PVD-420TE 基片尺寸 1" ~6“ 电阻热蒸发源 1个~4个 电阻热蒸发源组件 钽(钨或钼)金属舟热蒸发源组件
石英舟热蒸发源组件
钨极或钨蓝热蒸发源组件
钽炉热蒸发源组件(配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚)
束源炉热蒸发组件(配石英坩埚或氮化硼坩埚)腔体材质 304/316(选配)不锈钢,电解抛光 真空系统 分子泵+机械泵 极限真空 5×10-5Pa 恢复工作背景真空 大气至7×10-4Pa,30分钟左右(新设备充干燥氮气) 设备总体漏放率 关机12小时真空度≤8Pa 工艺电源 直流蒸发电源、束源炉蒸发电源 基片台 基片台可加热600℃、可旋转2~30转/分钟、可升降、可水冷(选配) 膜厚均匀性 优于±5% 控制形式 半自动/全自动 等离子清洗源 可选配 膜厚监控 可选配 恒温制冷水箱 可选配 空气压缩机 可选配 设备工作条件
供电 三相五线制,AC 380V,50Hz;接地电阻≤1Ω 功率 根据设备规模配置,峰值功率(10KW~20KW) 冷却水 ≤100L/min 水压 0.1Mpa~0.15MPa 水温 18℃~25℃ 气动部件供气压力 0.5MPa~0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05MPa~0.2MPa 工作环境温度 10℃~40℃ 工作环境湿度 ≤50%
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