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高真空电子束蒸发镀膜设备 HITSemi-PVD-600EB

高真空电子束蒸发镀膜设备是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。

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  • 产品描述

  • 高真空电子束蒸发镀膜设备是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。

    主要特点
    真空度高、抽速快、基片装卸方便。
    配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。
    PID自动控温，成膜均匀、放气量小和温度均匀。

    技术参数

    产品型号 HITSemi-PVD-600EB
    基片尺寸 4"~8"
    电子束蒸发源 最大功率10KW， e型电子枪
    坩埚数量 4穴/6穴（可选配）
    电阻热蒸发源组件 1个~2个（可选配）
    钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件
    钨极或钨蓝热蒸发源组件
    腔体材质 304/316（选配）不锈钢，电解抛光
    真空系统 分子泵+机械泵
    极限真空 5×10-5Pa
    恢复工作背景真空 大气至7×10-4Pa，30分钟左右（新设备充干燥氮气）
    设备总体漏放率 关机12小时真空度≤8Pa
    工艺电源 电子枪电源、直流蒸发电源
    基片台 基片台可加热600℃、可旋转2~30转/分钟、可升降、可水冷（选配）
    膜厚均匀性 优于±5%
    控制形式 半自动/全自动
    工艺气体 3路（N2、Ar、O2）（可选配）
    等离子清洗源 可选配
    膜厚监控 可选配
    恒温制冷水箱 可选配
    空气压缩机 可选配

    设备工作条件

    供电 三相五线制，AC 380V，50Hz；接地电阻≤1Ω
    功率 根据设备规模配置，峰值功率（20KW~30KW）
    冷却水 ≤100L/min
    水压 0.1Mpa~0.15MPa
    水温 18℃～25℃
    气动部件供气压力 0.5MPa～0.7MPa
    质量流量控制器供气压力 0.05MPa～0.2MPa
    工作环境温度 10℃～40℃
    工作环境湿度 ≤50%

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