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为您给予高性价比HFCVD热丝化学气相沉积设备解决方案《台风新闻》


发布时间:

2023-06-08

金刚石作为一种宽带隙半导体材料,具有优异的物理化学性能,在高温高频、大功率电子器件等高新技术领域有极大的应用潜力。但现在缺乏有效实用的n型导电材料,制约了金刚石半导体在电子领域中的应用。众多研究者寻找有利于取得低电阻率n型金刚石的杂质元素和掺杂方法。磷元素被认为是金刚石中最有潜力的施主杂质,但在磷掺杂金刚石中存在严重的载流子补偿问题。随着金刚石中磷掺杂浓度的提高,载流子补偿率也增加,大大降低了磷的掺杂效果,电阻率难以达到器件的要求。

  金刚石作为一种宽带隙半导体材料,具有优异的物理化学性能,在高温高频、大功率电子器件等高新技术领域有极大的应用潜力。但现在缺乏有效实用的n型导电材料,制约了金刚石半导体在电子领域中的应用。众多研究者寻找有利于取得低电阻率n型金刚石的杂质元素和掺杂方法。磷元素被认为是金刚石中最有潜力的施主杂质,但在磷掺杂金刚石中存在严重的载流子补偿问题。随着金刚石中磷掺杂浓度的提高,载流子补偿率也增加,大大降低了磷的掺杂效果,电阻率难以达到器件的要求。

  日本国立物质材料研究所Yuki Katamune团队使用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备了重磷掺杂金刚石(111)薄膜,此方法具有生长面积大和设备配置简单等优点。顺利获得改变掺杂剂中三甲基膦(PMe3)与甲烷的比例,成功地将薄膜的磷浓度控制在1018~1020cm-3范围内,从而有效地降低了电阻率;并在高掺杂水平下取得了小于50Ωcm的低电阻率。研究结果表明,HFCVD的重磷掺杂可能是制备用于金刚石基电子器件的低电阻n型层的一种有效方法。为制造更高效的电子器件给予了一条新的思路,并为未来制备高性能、低电阻率的n型导电钻石材料给予了更广阔的前景。未来的研究应侧重于验证金属杂质对载流子导电和器件性能的影响,以促进HFCVD制备的重磷掺杂薄膜的实际应用。
  热丝CVD金刚石设备
  研发设计制造了热丝CVD金刚石设备,分为实验型设备和生产型设备两类。
  设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜的研发和生产。可用于力学级别、热学级别、光学级别、声学级别的金刚石产品的研发生产。
  可以制造大尺寸金刚石多晶晶圆片,用于大功率器件、高频器件及大功率激光器的散热热沉。
  可用于生产制造防腐耐磨硬质涂层;环保领域污水处理用的金刚石产品。
  可用于平面工件的金刚石薄膜制备,也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。
  可用于太阳能薄膜电池的研发与生产。

  平面工作尺寸
  圆形平面工作的尺寸:最大φ600mm。
  矩形工作尺寸的宽度600mm/长度可根据镀膜室的长度确定(如:工件长度1200mm)。
  配置冷水样品台。
  可单面镀膜也可双面镀膜。 
  热丝电源功率
  可达300KW,1KW ~300KW可调(可根据用户工艺需求配置功率范围)
  设备安全性
  -电力系统的检测与保护
  -设置真空检测与报警保护功能
  -冷却循环水系统压力检测和流量检测与报警保护
  -设置水压检测与报警保护装置
  -设置水流检测报警装置
  设备构成
  真空室构成
  双层水冷结构,立式圆形、立式D形、立式矩形、卧式矩形,前后开门,真空尺寸,根据工件尺寸和数量确定。
  热丝
  热丝材料:钽丝、或钨丝
  热丝温度:1800℃~ 2500℃ 可调
  样品台
  可水冷、可加偏压、可旋转、可升降 ,由调速电机控制,可实现自动升降,(热丝与衬底间距在5 ~ 100mm范围内可调),要求升降平稳,上下波动不大于0.1mm。

  工作气路(CVD)
  工作气路根据用户工艺要求配置:
  下面气体配置是某一用户的配置案例。
  H2(5000sccm,浓度100%)
  CH4(200sccm,浓度100%)
  B2H6(50sccm,H2浓度99%)
  Ar(1000sccm,浓度100%)
  真空取得及测量系统
  控制系统及软件
  生产型热丝CVD金刚石设备

可制备金刚石面积-宽600*长1200mm

新闻中心

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