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总程系统
设备整体为cluster结构，由光电转换薄膜沉积系统、MAMS 电子剥离系统、排气封装系统、吸气材料真空涂敷系统、整体除气系统组成。可实现整体自动协调操作，也可各系统独立运行，互不干扰，系统间可设置互锁。316材质制造，预留若干法兰接口。
- 产品描述
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项目
配置和指标 1
整体结构 设备整体为cluster结构，由光电转换薄膜沉积系统、MAMS 电子剥离系统、排气封装系统、吸气材料真空涂敷系统、整体除气系统组成。可实现整体自动协调操作，也可各系统独立运行，互不干扰，系统间可设置互锁。316材质制造，预留若干法兰接口。 2
系统控制 设备控制系统可实现单机操作，也可联机操作，并配置上位机，进行1拖6布局。具体控制逻辑实现互锁，操作界面清晰，并可设置工艺编辑权限。 3
工艺流程 装片---传片---确定生长条件（束流、衬底温度）--脱氧--稳定衬底温度---束源升温---生长开始---生长控制---生长结束---束源温度降温--- 衬底温度降温---真空恢复---传出样品--取片---恢复真空。 4
原位检测系统 标准光源控制3100K或其它色温，光源可变强度，可实现照度信息采集。设备整体电位控制0-500V，精度 1/1000， 自动短路保护。光电流实时采集10nA～10mA，自动变挡，精度 1/1000。
带漏电斜率触发功能。5
加热源及电源 至少3个金属化合物位置+1个金属单质舟位置，电流控制束流源速率，可实现 0-10A输出，陆续在可调。设置过压、过热保护。 6
电子剥离部件 剥离源发生极激励电流0-10A ，陆续在可调，调节精度0.001A，有效区域控制最大有效直径 35mm。能量精度±0.1%@直径 35mm。强度检测带过载报警。 7
真空系统 设备采用分子泵组和低温泵组双真空系统以应对不同工艺的要求，工作真空度≤8*10-7pa，带泵前保护。 8
外烘烤系统 外烘烤温度≤500℃, 烘烤时间24H，设备各部件可长时间应适应该温度。温度范围,(RT)+80℃~500℃，显示精度 0.1℃，温度波动度±1.0℃，温度均匀度±2.0℃%，升温时间25～400℃约90分钟。
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