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    半导体

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    Semi-ICP-200 等离子刻蚀设备

    ICP 源装置结构简单，易于调节，可顺利获得在基片台上施加偏压，实现对电子密度和离子能量的控制，即：射频线圈产生等离子体，基片偏压控制轰击基片离子的能流和束流以及入射的方位角等。ICP 为无电极放电，没有电极污染。

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    腾博会官网半导体引领未来：TGV及TSV技术爆发式增长在即

    随着半导体行业的飞速开展，尤其在芯片互联工艺领域，贯穿玻璃通孔（TGV）技术日益成为核心增长动力。预计在不久的将来，该技术将在全球及中国市场迎来前所未有的增长机遇。据最新市场研究数据显示，中国已经成为全球最大的TGV技术应用市场。

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